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錫須的產(chǎn)生原因:
1、錫與銅之間相互擴(kuò)散,形成金屬互化物,致使錫層內(nèi)壓應(yīng)力的迅速增長,導(dǎo)致錫原子沿著晶體邊界進(jìn)行擴(kuò)散,形成錫須;
2、電鍍后鍍層的殘余應(yīng)力,導(dǎo)致錫須的生長。
解決措施:
1、電鍍霧錫,改變其結(jié)晶的結(jié)構(gòu),減小應(yīng)力;
2、在150鍍下烘烤2小時(shí)退火;(實(shí)驗(yàn)證明,在溫度90鍍以上,錫須將停止生長)
3、Enthone FST浸錫工藝添加少量的有機(jī)金屬添加劑,限制錫銅金屬互化物的生成;
4、在錫銅之間加一層阻擋層,如鎳層。
上一篇:技術(shù)精華:電源模塊的PCB設(shè)計(jì)
下一篇:PCB表面處理OSP工藝中影響膜厚的主要因素分析
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錫須的產(chǎn)生原因:
1、錫與銅之間相互擴(kuò)散,形成金屬互化物,致使錫層內(nèi)壓應(yīng)力的迅速增長,導(dǎo)致錫原子沿著晶體邊界進(jìn)行擴(kuò)散,形成錫須;
2、電鍍后鍍層的殘余應(yīng)力,導(dǎo)致錫須的生長。
解決措施:
1、電鍍霧錫,改變其結(jié)晶的結(jié)構(gòu),減小應(yīng)力;
2、在150鍍下烘烤2小時(shí)退火;(實(shí)驗(yàn)證明,在溫度90鍍以上,錫須將停止生長)
3、Enthone FST浸錫工藝添加少量的有機(jī)金屬添加劑,限制錫銅金屬互化物的生成;
4、在錫銅之間加一層阻擋層,如鎳層。
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